什么是双向可控硅？

　　可控硅分为单向的和双向的,符号也不同.单向可控硅有三个PN结,由最外层的P极和N极引出两个电极,分别称为阳极和阴极,由中间的P极引出一个控制极. 　　双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列(电极引脚向下,面对有字符的一面时).加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时,就能改变其导通电流的大小. 　　与单向可控硅的区别是,双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时,其导通方向就随着极性的变化而改变,从 而能够控制交流电负载.而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通,所以可控硅有单双向之分.　　电子制作中常用可控硅,单向的有MCR-100等,双向的有TLC336等

延伸阅读

双向可控硅老是烧坏？

双向可控硅老是烧掉，说明负载比较大。双向可控硅会处在一个过载工作状态下。重点应该检查电路当中有一些哪些负载存在短路和功能阻值现象，排除故障以后再使用，如符合没有问题，那就是可控硅的问题，将可控硅进行置换，置换成功率更高更大的型号，或者加大使用散热片，间接提高使用功率。

bta16双向可控硅好坏的测量？

该型号是双向闸流管可用万用表测电压法和电阻法初步判定好坏，附件是测量电阻法供参考。双向可控硅的检测。 用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。

双向可控硅为什么要过零触发？

因为可控硅外加触发信号，双向可控硅导通。但是在220V交流电过零点时，且无外加触发信号时，会自动关断。 若不在零点触发让可控硅导通，在其它点时触发会有电压，电流冲击的考虑。在交流电过零点时导通免除了电流和电压的冲击，对可控硅的使用寿命有很好的保护作用。

双向可控硅导通关断原理？

双向晶闸管它属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。

双向晶闸管的伏发特性,由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。

下面介绍利用万用表R×1档判定双向晶闸管电极的方法，同时还检查触发能力。

1．判定T2极

G极与T1极靠近，距T2极较远。因此，G-T1之间的正、反向电阻都很小。在用R×1档测任意两脚之间的电阻时，只有G- T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧。而T2-G、T2- T1之间的正、反向电阻均为无穷大。这表明，如果测出某脚和其它两脚都不通，就肯定是T2极。

另外，采用TO-220封装的双向晶闸管，T2极通常与小散热板连通。据此亦可确定T2极。

2．区分G极和T1极

（1）找出T2极之后，首先假定剩下两脚中某一脚为T1极，另一脚为G极。

（2）把黑表笔接T1极，红表笔接T2极，电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路，给G极加上负触发信号，电阻值应为十欧左右,证明管子已经导通，导通方向为T1→T2。再将红表笔尖与G极脱开（但仍接T2），如果电阻值保持不变，就表明管子在触发之后能维持之后能维持导通状态。

（3）把红表笔接T1极，黑表笔接T2极，然后使T2与G短路，给G极加上正触发信号，电阻值仍为十欧左右，与G极脱开后若阻值不变，则说明管子经触发后，在T2→T1方向上也能维持导通状态，因此具有双向触发性质。由此证明上述假定正确。否则是假定与实际不符，需从新作出假定，重复以上测量。

显见，在识别G、T的过程中，也就检查了比向晶闸管的触发能力。

实例：选择500型万用表档R×1档检测一只由日本三菱公司生产的BCR3AM型双向晶闸管。测量结果与上述规律完全相符，证明管子质量良好。

注意事项：

如果按哪种假定去测量，都不能使双向晶闸管触发导通，证明管子已损坏。为可靠起见，这里规定只用R×1档检测，而不用R×10档。这是因为R×10档的电流较小，采用上述方法检查1A的双向晶闸管还双较可靠，但在检查3A或3A以上的双向晶闸管时，管子很难导通状态，一旦脱开G极，即自行关断，电阻值又变成无穷大。

双向可控硅可用mos管代替吗？

双向可控硅是不可以用mos管代替的。双向可控硅是一种可控开关器件，该器件可用于交流可控开关电路中。而mos管是一种场效应晶体管器件，可分为P沟道与N沟道场效应管，它只能用于直流电路中，可作为放大器件或者开关器件使用，而双向可控硅主要用于交流开关电路中。

双向可控硅的工作原理是什么？

　　双向可控硅的工作原理：　　1、可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。　　当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。　　由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。　　由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化。　　2、触发导通。　　在控制极G上加入正向电压时因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

双向可控硅作用？

1、双向可控硅在电路中的作用是用于交流调压或交流电子开关；

2、双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件；

3、其英文名称TRIAC，即三端双向交流开关的意思；

4、可控硅的第一个优点是以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；

5、可控硅的第二个优点是反应极快，可在微秒级内开通、关断；

6、可控硅的第三个优点是无触点运行，无火花、无噪音；

7、可控硅的第四个优点是效率高，成本低。

双向可控硅的触发原理图及原理是什么？

双向可控硅是两个方向都可以导通的，所以就不区分阳极和阴极和，我们可以命名为T1、T2极，另一个是脚是极，只要在G极注入正向电压就可以让T1和T2极志通了，非常适用于交流电工作的器件的控制

当然双向可控硅不能直接用单片机驱动，需要设计一个驱动电路，因为使用的是交流电压，为了安全起见，一般会使用光耦进行隔离，下图是一个控制马达的可控硅驱动电路

如果想要通过双向可控硅控制功率，比如灯光的亮和暗的控制，交流电机的转速快慢控制等，可以通过控制双向可控硅的导通角来实理，我们平常使用的是正弦波形的交流电

这时候需要想办法控制交流电的导通时间，比如正半周的时候1/4T~1/2T导通，负半周的时候3/4T~T的时候导通。这样是不是只剩下一半的功率了？

要控制交流电的导通时间，首先要设计一个过零检测电路来判断交流电的零点位置。

交流电到零点时，三极管Q2截止，所以检测到ZERO位置为高电平时就是交流电的零点位置了。得到零点后，我们就可以通过控制双向可控硅的导通时间来实现功率控制了。

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单向可控硅和双向可控硅如何区分?各有什么特点区别？

一、指代不同 1、单向可控硅：是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通。

2、双向可控硅：是在普通可控硅的基础上发展而成的，不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。

二、结构不同 1、单向可控硅：具有三个 PN 结的四层结构，由最外层的 P 层、N 层引出两个电极――阳 极 A 和阴极 K，由中间的 P 层引出控制极 G。

2、双向可控硅：有两个主电极T1和T2， 一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。 三、特点不同 1、单向可控硅：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。

若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。

2、双向可控硅：双向可控硅通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示额定电流值。

由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。 来源：-双向可控硅 来源：-单向可控硅